W988D2FBJX7E - IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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1-2 일
주문 가능 수량
196030 Pieces
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USD 1.591278
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사양 W988D2FBJX7E

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : W988D2FBJX7E
제조사 : Winbond Electronics
기술 : IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Volatile
메모리 형식 : DRAM
과학 기술 : SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기 : 256Mb (8M x 32)
클럭 주파수 : 133MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 15ns
액세스 시간 : 5.4ns
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 : -25°C ~ 85°C (TC)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 90-TFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 90-VFBGA (8x13)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : W988 , W988D2

에 대한 문서 W988D2FBJX7E

데이터 시트 : W988D2FBJX7E.pdf

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부품 번호 상표 기술 구입

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CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.

TF170311WW40236BJ1

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WF135242WP30238BJ1

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WF165336WP76238BJ1

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CAP CER 7600PF 20KV SCREW.

BZ118078WV75036CB1

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CAP CER 75PF 30KV AXIAL.

GRM0225C1E5R6DDAEL

Murata Electronics North America

CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.

WI140316WQ75236BJ4

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WF110250WJ47238BJ1

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WI140316WQ75236BJ2

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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

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