EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
100050 Pieces
참조 가격
USD 3.117828
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사양 EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
제조사 : Micron Technology Inc.
기술 : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
시리즈 : -
부품 상태 : Active
메모리 유형 : Volatile
메모리 형식 : DRAM
과학 기술 : SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기 : 512Mb (16M x 32)
클럭 주파수 : 533MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : -
액세스 시간 : -
메모리 인터페이스 : Parallel
전압 - 공급 : 1.14V ~ 1.95V
작동 온도 : -40°C ~ 105°C (TC)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 134-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 : 134-VFBGA (10x11.5)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : EDB5432B , EDB5432BEBH-

에 대한 문서 EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

데이터 시트 : EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR.pdf

관련 제품 EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc.

부품 번호 상표 기술 구입

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WF095187WJ10238BH1

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CAP CER 10000PF 14KV SCREW.

WF165336WQ75233BJ1

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WI140266WJ10336BJ2

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CAP CER 10000PF 14KV SCREW.

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WI106266WL50236BJ1

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