KLUDG8J1ZD-B0CQ - UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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사양 KLUDG8J1ZD-B0CQ

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : KLUDG8J1ZD-B0CQ
제조사 : Samsung Semiconductor
기술 : UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production
시리즈 : DDR3
번역 : UFS 2.1
밀도 : 128 GB
전압 : 1.8 / 3.3 V
인터페이스 : G3 2Lane
패키지 크기 : 11.5 x 13 x 1.2 mm
온도. : -40 ~ 105 °C
제품 상태 : Mass Production
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : KLUDG , KLUDG8J

에 대한 문서 KLUDG8J1ZD-B0CQ

데이터 시트 : KLUDG8J1ZD-B0CQ.pdf

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