K4A4G085WF-BCTD - 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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무연 / RoHS 준수
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사양 K4A4G085WF-BCTD

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : K4A4G085WF-BCTD
제조사 : Samsung Semiconductor
기술 : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
시리즈 : DDR4
밀도 : 4 Gb
조직. : 512M x 8
속도 : 2666 Mbps
전압 : 1.2 V
온도. : 0 ~ 85 °C
꾸러미 : 78FBGA
제품 상태 : Mass Production
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : K4A4G , K4A4G08

에 대한 문서 K4A4G085WF-BCTD

데이터 시트 : K4A4G085WF-BCTD.pdf

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CAP CER 3300PF 100V BX 0805.

C917U520JYSDAAWL45

KEMET

CAP CER 52PF 400VAC SL RADIAL.

WF135373BQ50238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 5000PF 25KV SCREW.

WF095220WF50238BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 5000PF 12KV SCREW.

B37987F1223M051

EPCOS (TDK)

CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.

WI140316WQ75236BJ3

Vishay Beyschlag

CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

WF125420WN76236BJ1

Vishay Beyschlag

CAP CER 7600PF 18KV SCREW.

TF170311WW40236BJ2

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CAP CER 4000PF 32KV R85.

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WI085260WJ47238BJ1

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TF170279BQ50236BJ1

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