W632GG6MB12I TR - IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체 부품 번호

W632GG6MB12I TR

내부 부품 번호

AX-W632GG6MB12I TR

제조사

Winbond Electronics

간단한 설명

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

145305 Pieces

참조 가격

~~USD 2.1468~~

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사양 W632GG6MB12I TR

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : W632GG6MB12I TR

제조사 : Winbond Electronics

기술 : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

시리즈 : -

부품 상태 : Active

메모리 유형 : Volatile

메모리 형식 : DRAM

과학 기술 : SDRAM - DDR3

메모리 크기 : 2Gb (128M x 16)

클럭 주파수 : 800MHz

쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : -

액세스 시간 : 20ns

메모리 인터페이스 : Parallel

전압 - 공급 : 1.425V ~ 1.575V

작동 온도 : -40°C ~ 95°C (TC)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 96-VFBGA

공급 업체 장치 패키지 : 96-VFBGA (7.5x13)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 W632GG6MB12I TR

데이터 시트 : W632GG6MB12I TR.pdf

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PEF220WP60236BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
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