SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

제조업체 부품 번호

SIZF916DT-T1-GE3

내부 부품 번호

AX-SIZF916DT-T1-GE3

제조사

Vishay Siliconix

간단한 설명

MOSFET N-CH DUAL 30V

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

603435 Pieces

참조 가격

~~USD 0.46494~~

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사양 SIZF916DT-T1-GE3

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : SIZF916DT-T1-GE3

제조사 : Vishay Siliconix

기술 : MOSFET N-CH DUAL 30V

시리즈 : TrenchFET® Gen IV

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)

FET 특징 : Standard

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

전력 - 최대 : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 8-PowerWDFN

공급 업체 장치 패키지 : 8-PowerPair® (6x5)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 SIZF916DT-T1-GE3

데이터 시트 : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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