SIZF916DT-T1-GE3 - MOSFET N-CH DUAL 30V

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET N-CH DUAL 30V
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
603435 Pieces
참조 가격
USD 0.46494
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사양 SIZF916DT-T1-GE3

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : SIZF916DT-T1-GE3
제조사 : Vishay Siliconix
기술 : MOSFET N-CH DUAL 30V
시리즈 : TrenchFET® Gen IV
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
전력 - 최대 : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지 : 8-PowerPair® (6x5)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : SIZF9 , SIZF916D

에 대한 문서 SIZF916DT-T1-GE3

데이터 시트 : SIZF916DT-T1-GE3.pdf

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