TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

제조업체 부품 번호

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

내부 부품 번호

AX-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

제조사

Toshiba Semiconductor and Storage

간단한 설명

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

1012130 Pieces

참조 가격

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사양 TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage

기술 : MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

시리즈 : U-MOSVI

부품 상태 : Active

FET 유형 : P-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (최대) : +10V, -20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 890pF @ 10V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 27W (Tc)

작동 온도 : 175°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : DPAK+

패키지 / 케이스 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

관련된 링크들 : TJ8S06 , TJ8S06M3L

에 대한 문서 TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

데이터 시트 : TJ8S06M3L(T6L1,NQ).pdf

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