IPB80N06S2L-H5 - MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

제조업체 부품 번호

IPB80N06S2L-H5

내부 부품 번호

AX-IPB80N06S2L-H5

제조사

Infineon Technologies

간단한 설명

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

51738 Pieces

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사양 IPB80N06S2L-H5

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : IPB80N06S2L-H5

제조사 : Infineon Technologies

기술 : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

시리즈 : OptiMOS™

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 55V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (최대) : ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 5000pF @ 25V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 300W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 IPB80N06S2L-H5

데이터 시트 : IPB80N06S2L-H5.pdf

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