TH58BYG3S0HBAI6 - 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

제조업체 부품 번호

TH58BYG3S0HBAI6

내부 부품 번호

AX-TH58BYG3S0HBAI6

제조사

Toshiba Memory America, Inc.

간단한 설명

8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

52506 Pieces

참조 가격

~~USD 7.128~~

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사양 TH58BYG3S0HBAI6

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : TH58BYG3S0HBAI6

제조사 : Toshiba Memory America, Inc.

기술 : 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

시리즈 : Benand™

부품 상태 : Active

메모리 유형 : Non-Volatile

메모리 형식 : FLASH

과학 기술 : FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기 : 8Gb (1G x 8)

클럭 주파수 : -

쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 : 25ns

액세스 시간 : -

메모리 인터페이스 : -

전압 - 공급 : 1.7V ~ 1.95V

작동 온도 : -40°C ~ 85°C (TA)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : -

공급 업체 장치 패키지 : 67-VFBGA (6.5x8)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 TH58BYG3S0HBAI6

데이터 시트 : TH58BYG3S0HBAI6.pdf

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부품 번호	상표	기술
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WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
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WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
WF135250WL50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
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