2SK879-Y(TE85L,F) - JFET N-CH 0.1W USM

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
JFET N-CH 0.1W USM
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
3315180 Pieces
참조 가격
USD 0.08463
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사양 2SK879-Y(TE85L,F)

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : 2SK879-Y(TE85L,F)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : JFET N-CH 0.1W USM
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
전압 - 고장 (V (BR) GSS) : -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : -
전류 - 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id) - 최대 : -
전압 - 컷오프 (VGS off) @ ID : 400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 8.2pF @ 10V
저항 - RDS (켜짐) : -
전력 - 최대 : 100mW
작동 온도 : 125°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 : USM
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : 2SK87 , 2SK879-Y

에 대한 문서 2SK879-Y(TE85L,F)

데이터 시트 : 2SK879-Y(TE85L,F).pdf

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