FDS6900AS - MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC

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제조사
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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1-2 일
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1015520 Pieces
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사양 FDS6900AS

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : FDS6900AS
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
시리즈 : PowerTrench®, SyncFET™
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6.9A, 8.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 600pF @ 15V
전력 - 최대 : 900mW
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 : 8-SOIC
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : FDS , FDS6

에 대한 문서 FDS6900AS

데이터 시트 : FDS6900AS.pdf

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WF135285WP50238BJ1

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BZ114096WZ10248BK1

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WI085175WJ22238BJ1

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WI140316WQ75236BJ2

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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

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B37987F1223M051

EPCOS (TDK)

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