TPH3208LD - GANFET N-CH 650V 20A PQFN

제조업체 부품 번호

TPH3208LD

내부 부품 번호

AX-TPH3208LD

제조사

Transphorm

간단한 설명

GANFET N-CH 650V 20A PQFN

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

23696 Pieces

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사양 TPH3208LD

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : TPH3208LD

제조사 : Transphorm

기술 : GANFET N-CH 650V 20A PQFN

시리즈 : -

부품 상태 : Obsolete

FET 유형 : N-Channel

과학 기술 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 650V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13A, 8V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.6V @ 300µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 14nC @ 8V

Vgs (최대) : ±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 760pF @ 400V

FET 특징 : -

전력 발산 (최대) : 96W (Tc)

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

공급 업체 장치 패키지 : 4-PQFN (8x8)

패키지 / 케이스 : 4-PowerDFN

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 TPH3208LD

데이터 시트 : TPH3208LD.pdf

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PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.