APTGTQ100H65T3G - POWER MODULE - IGBT

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
POWER MODULE - IGBT
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
11984 Pieces
참조 가격
USD 37.43358
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사양 APTGTQ100H65T3G

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : APTGTQ100H65T3G
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : POWER MODULE - IGBT
시리즈 : -
부품 상태 : Active
IGBT 유형 : -
구성 : Full Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 650V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100A
전력 - 최대 : 250W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce : 6nF @ 25V
입력 : Standard
NTC 서미스터 : Yes
작동 온도 : -40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 : Chassis Mount
패키지 / 케이스 : Module
공급 업체 장치 패키지 : SP3F
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : APTGT , APTGTQ1

에 대한 문서 APTGTQ100H65T3G

데이터 시트 : APTGTQ100H65T3G.pdf

관련 제품 APTGTQ100H65T3G Microsemi Corporation

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