SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

제조업체 부품 번호

SI8900EDB-T2-E1

내부 부품 번호

AX-SI8900EDB-T2-E1

제조사

Vishay Siliconix

간단한 설명

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

RoHS 상태

무연 / RoHS 준수

배달 시간

1-2 일

주문 가능 수량

271970 Pieces

참조 가격

~~USD 1.03158~~

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사양 SI8900EDB-T2-E1

품질 보증 : 365 일 보증

재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접

원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

부품 번호 : SI8900EDB-T2-E1

제조사 : Vishay Siliconix

기술 : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

시리즈 : TrenchFET®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 특징 : Logic Level Gate

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 5.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 1.1mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -

전력 - 최대 : 1W

작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : 10-UFBGA, CSPBGA

공급 업체 장치 패키지 : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)

무게 : -

조건 : 새롭고 독창적

에 대한 문서 SI8900EDB-T2-E1

데이터 시트 : SI8900EDB-T2-E1.pdf

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