DMT6016LFDF-13 - MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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1-2 일
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사양 DMT6016LFDF-13

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : DMT6016LFDF-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 8.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 864pF @ 30V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 820mW (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 6-UDFN (2x2)
패키지 / 케이스 : 6-UDFN Exposed Pad
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
관련된 링크들 : DMT6 , DMT6016

에 대한 문서 DMT6016LFDF-13

데이터 시트 : DMT6016LFDF-13.pdf

관련 제품 DMT6016LFDF-13 Diodes Incorporated

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WF135285WP50238BJ1

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WI140266WQ75236BJ2

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PEF220BJ70238BK1

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WI085215WJ10238BH1

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