H7N1002LSTL-E - MOSFET N-CH 100V LDPAK
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V LDPAK
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
21736 Pieces
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사양 H7N1002LSTL-E
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 :
H7N1002LSTL-E
제조사 :
Renesas Electronics America
기술 :
MOSFET N-CH 100V LDPAK
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
75A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (최대) :
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
9700pF @ 10V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
100W (Tc)
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
4-LDPAK
패키지 / 케이스 :
SC-83
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
에 대한 문서 H7N1002LSTL-E
데이터 시트 :
H7N1002LSTL-E.pdf
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