FDS8812NZ - MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

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간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
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1-2 일
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9384 Pieces
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사양 FDS8812NZ

품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 : FDS8812NZ
제조사 : ON Semiconductor
기술 : MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
시리즈 : PowerTrench®
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 6925pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2.5W (Ta)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 8-SOIC
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
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에 대한 문서 FDS8812NZ

데이터 시트 : FDS8812NZ.pdf

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CAP CER 50PF 30KV AXIAL.

GRM1555C1E8R1CZ01D

Murata Electronics North America

CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.

B37987F1223M051

EPCOS (TDK)

CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.

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