EPC2012C - GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
AX-EPC2012C
제조사
간단한 설명
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
392940 Pieces
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사양 EPC2012C
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
부품 번호 :
EPC2012C
제조사 :
EPC
기술 :
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
시리즈 :
eGaN®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N-Channel
과학 기술 :
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.3nC @ 5V
Vgs (최대) :
+6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
140pF @ 100V
FET 특징 :
-
전력 발산 (최대) :
-
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 :
Die Outline (4-Solder Bar)
패키지 / 케이스 :
Die
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
에 대한 문서 EPC2012C
데이터 시트 :
EPC2012C.pdf
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