TPC6107(TE85L,F,M) 데이터 시트
사양 TPC6107(TE85L,F,M)
부품 번호 : TPC6107(TE85L,F,M)
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage
기술 : MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
시리즈 : U-MOSIV
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : P-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.2V @ 200µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 9.8nC @ 5V
Vgs (최대) : ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 680pF @ 10V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 700mW (Ta)
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : VS-6 (2.9x2.8)
패키지 / 케이스 : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
6856 조각
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