SCT50N120 데이터 시트
사양 SCT50N120
부품 번호 : SCT50N120
제조사 : STMicroelectronics
기술 : MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : SiCFET (Silicon Carbide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 122nC @ 20V
Vgs (최대) : +25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1900pF @ 400V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 318W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 : Through Hole
공급 업체 장치 패키지 : HiP247™
패키지 / 케이스 : TO-247-3
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
AX-SCT50N120
간단한 설명
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
17760 조각
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