PHM30NQ10T,518 데이터 시트
사양 PHM30NQ10T,518
부품 번호 : PHM30NQ10T,518
제조사 : NXP USA Inc.
기술 : MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
시리즈 : TrenchMOS™
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 37.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3600pF @ 25V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 62.5W (Tc)
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : 8-HVSON (6x5)
패키지 / 케이스 : 8-VDFN Exposed Pad
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
24262 조각
참조 가격
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| 부품 번호 | 상표 | 기술 | 구입 |
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| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9.2NS 256FTBGA | ||
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