NSVMUN5133DW1T1G 데이터 시트
사양 NSVMUN5133DW1T1G
부품 번호 : NSVMUN5133DW1T1G
제조사 : ON Semiconductor
기술 : TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
시리즈 : Automotive, AEC-Q101
부품 상태 : Active
트랜지스터 유형 : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) : 100mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) : 50V
저항기 -베이스 (R1) : 4.7 kOhms
저항기 - 이미 터베이스 (R2) : 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) : 500nA
빈도 - 전환 : -
전력 - 최대 : 250mW
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 업체 장치 패키지 : SC-88/SC70-6/SOT-363
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
4624275 조각
참조 가격
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