K4B2G0846F-BYNB 데이터 시트
사양 K4B2G0846F-BYNB
부품 번호 : K4B2G0846F-BYNB
제조사 : Samsung Semiconductor
기술 : 2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
시리즈 : DDR3
밀도 : 2 Gb
조직. : 256M x 8
속도 : 2133 Mbps
전압 : 1.35 V
온도. : 0 ~ 85 °C
꾸러미 : 78FBGA
제품 상태 : Mass Production
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
104120 조각
참조 가격
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