JAN1N5550US 데이터 시트
사양 JAN1N5550US
부품 번호 : JAN1N5550US
제조사 : Microsemi Corporation
기술 : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
시리즈 : Military, MIL-PRF-19500/420
부품 상태 : Discontinued at Digi-Key
다이오드 유형 : Standard
전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) : 200V
전류 - 평균 정류 (Io) : 3A
전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If : 1.2V @ 9A
속도 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 회복 시간 (trr) : 2µs
전류 - 역방향 누설량 (Vr) : 1µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F : -
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : SQ-MELF, B
공급 업체 장치 패키지 : D-5B
작동 온도 - 정션 : -65°C ~ 175°C
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
AX-JAN1N5550US
간단한 설명
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
21973 조각
참조 가격
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