사양 IRF6612TR1

부품 번호 : IRF6612TR1
제조사 : Infineon Technologies
기술 : MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
시리즈 : HEXFET®
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : N-Channel
과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 24A (Ta), 136A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 2.25V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
Vgs (최대) : ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 3970pF @ 15V
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : DIRECTFET™ MX
패키지 / 케이스 : DirectFET™ Isometric MX
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
66470 조각
참조 가격
USD 0
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