GA05JT12-263 데이터 시트
사양 GA05JT12-263
부품 번호 : GA05JT12-263
제조사 : GeneSiC Semiconductor
기술 : TRANS SJT 1200V 15A
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : -
과학 기술 : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 1200V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
Rds On (최대) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
Vgs (최대) : -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
FET 특징 : -
전력 발산 (최대) : 106W (Tc)
작동 온도 : 175°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 : D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스 : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
AX-GA05JT12-263
간단한 설명
TRANS SJT 1200V 15A
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
48870 조각
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