사양 DMG4511SK4-13

부품 번호 : DMG4511SK4-13
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N and P-Channel, Common Drain
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 35V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 5.3A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 18.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 850pF @ 25V
전력 - 최대 : 1.54W
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급 업체 장치 패키지 : TO-252-4L
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
1342805 조각
참조 가격
USD 0
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