사양 CSD86336Q3DT

부품 번호 : CSD86336Q3DT
제조사 : Texas Instruments
기술 : SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
시리즈 : NexFET™
부품 상태 : Active
FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 : Logic Level Gate, 5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 20A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
전력 - 최대 : 6W
작동 온도 : -55°C ~ 125°C
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지 : 8-VSON (3.3x3.3)
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
387730 조각
참조 가격
USD 0
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