APTGT50DH60T1G 데이터 시트
사양 APTGT50DH60T1G
부품 번호 :
APTGT50DH60T1G
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOD IGBT 600V 80A SP1
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
IGBT 유형 :
Trench Field Stop
구성 :
Asymmetrical Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
80A
전력 - 최대 :
176W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
입력 :
Standard
NTC 서미스터 :
Yes
작동 온도 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
SP1
공급 업체 장치 패키지 :
SP1
무게 :
-
조건 :
새롭고 독창적
품질 보증 :
365 일 보증
재고 자원 :
프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
간단한 설명
MOD IGBT 600V 80A SP1
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
23544 조각
참조 가격
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