2SK3666-2-TB-E 데이터 시트
사양 2SK3666-2-TB-E
부품 번호 : 2SK3666-2-TB-E
제조사 : ON Semiconductor
기술 : JFET NCH 30V 200MW 3CP
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N-Channel
전압 - 고장 (V (BR) GSS) : -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id) - 최대 : 10mA
전압 - 컷오프 (VGS off) @ ID : 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4pF @ 10V
저항 - RDS (켜짐) : 200 Ohms
전력 - 최대 : 200mW
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 : 3-CP
무게 : -
조건 : 새롭고 독창적
품질 보증 : 365 일 보증
재고 자원 : 프랜차이즈 대리점 / 제조업체 직접
원산지 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
제조업체 부품 번호
내부 부품 번호
제조사
간단한 설명
JFET NCH 30V 200MW 3CP
RoHS 상태
무연 / RoHS 준수
배달 시간
1-2 일
주문 가능 수량
5403985 조각
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